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社会招聘
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TCAD主任工程师
地址:自贸区厂区
职责描述:
1.从事LDMOS、CMOS、eflash、SGT、BJT、Schottky、JEFT、Zener、ESD等器件的TCAD仿真与分析
2.搭建新器件仿真平台,解决各类仿真问题
3.参加研发项目,解决BCD、HV、MCU等项主张器件及靠得住性问题
4.可能造订合理的仿真打算,携带进行TCAD仿真和器件分析,提供齐全汇报
5.可能独立造订split table,分析WAT,提出器件优化建议
任职要求:
1.学历布景:微电子、物理、资料等有关专业硕士及以上学历
2.工作经历: 5年以上工作经验
3.知识:纯熟使用TCAD仿真软件对各类半导体器件的仿真及分析,熟悉各类半导体器件(LDMOS、CMOS、eflash、SGT、BJT、Schottky、JEFT、Zener、ESD等)工作道理
4.专业技术:有半导体器件TCAD仿真工作经历,可能独立搭建新仿真平台,熟悉工艺流程及器件分析者优先
5.职业素养:优良的抗压力和沟通协调能力
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研发工艺整合工程师(MCU)
地址:自贸区厂区
岗位职责:
1. MCU器件开发、结构调整、工艺整合
2. 电性调试:造订DOE 尝试、分析数据
3. 良率提升:线上工艺监控、缺点分析
4. 靠得住性提升:优化工艺提升工艺靠得住性
岗位要求:
1. 半导体物理,微电子等专业硕士以上学历
2. 具备扎实的半导体物理、器件理论和工艺道理知识
3. 半导体领域2年以上工作经验
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研发工艺整合伙深工程师(BCD)
地址:自贸区厂区
岗位职责:
1. 从事 90nm BCD 工艺开发,成立工艺流程,和 FAB PE 一路成立工艺流程 recipe ,开发新的模组工艺
2. 造订尝试批次 split, 设计尝试解决工艺缺点,提升产品良率
3. 设计平台器件结构,通过 TQV&MPW 进行平台验证,设计测试图形,量测分析器件参数,优化器件机能
4. 协同靠得住性部门实现相应的工艺靠得住性测试,产品靠得住性测试;并对靠得住性问题进行分析,提出解决方
案,确保产品安全
5. NTO 导入及验证,掌管产品上量并转移至 FAB
6. 实现辅导铺排的其他工作
任职前提:
1. 微电子,物理,资料,化学等有关专业硕士以上学历
2. 至少3 年及以上有关经验
2. 熟悉半导体物理,相识半导体器件( CMOS,BJT,LDMOS 等 工作道理
3. 有 PIE/TD 工作经历,熟悉工艺流程者优先
4. 拥有优良的抗压能力和沟通协调能力
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TD 器件研发分部经理
地址:上海自贸区厂区
岗位职责:
1.作为逻辑研发项主张项目执行人,参加公司技术路线图造订和新项目调研;
2.参加造订、执行流片规划,确定逻辑器件工艺和关键参数规格造订;
3.设计尝试解决工艺异常问题,整合分歧单元工艺?,优化工艺流程;
4.参加器件结构的设计,有关器件个性参数的仿照、测试、分析,优化器件机能;
5.参加成立表征器件有关参数的测试法式,分析工艺颠簸对器件个性的影响;
6.赐与team技术领导,提升设计团队技术能力;
岗位要求:
1.电子工程师、物理、推算机科学或资料科学领域的硕士或博士学位, 半导体,电子,电机工程布景优先;
2.8年以上工艺技术开发、TCAD、SRAM/Testchip设计、开发、工艺或产品工程有关经验;3年以上逻辑器件开发经验;1年以上项目治理经验,在此期间展示优良的治理能力及实现有关项目;
3. 65/55/40/28nm经验及有SRAM bitcell设计守护优先;
4.扎实的半导体工艺、器件和IC造作知识;在半导体和逻辑器件结构、工艺技术、电学个性和量测有扎实的知识;
5.在半导体器件和工艺流程,testkey设计和布局,mask data审查和DRC审查,以及潜在问题鉴别和解决的技术占有高级能力;在工程晶片DOE、手动电性丈量及参数分析,工艺和产品失效分析中占有高级分析技术;
6.熟悉FMEA(失效模式及成效分析)、DOE、SPC和TDP(技术开发法式);熟悉芯片失效分析、良率提升等工作中所需选取的方式步骤;
7.优良的中英文书面和口头沟通能力;优良的技术和分析能力,蕴含对半导体造作工艺的根基相识;较强的推算机利用能力(如微软Word、Excel等);优良的团队合作心灵。
联系方式:
自贸区厂区
联系方式:recruiting@gtasemi.com.cn
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TD 器件研发主任工程师
地址:上海自贸区厂区
岗位职责:
1、作为逻辑研发项主张项目执行人,参加公司技术路线图造订和新项目调研;
2、参加造订、执行流片规划,确定逻辑器件工艺和关键参数规格造订;
3、设计尝试解决工艺异常问题,整合分歧单元工艺?,优化工艺流程;
4、参加器件结构的设计,有关器件个性参数的仿照、测试、分析,优化器件机能; 5.参加成立表征器件有关参数的测试法式,分析工艺颠簸对器件个性的影响;
6、赐与team技术领导,提升设计团队技术能力;
任职要求:
1、电子工程师、物理、推算机科学或资料科学领域的硕士或博士学位, 半导体,电子,电机工程布景优先;2、8年以上工艺技术开发、TCAD、SRAM/Testchip设计、开发、工艺或产品工程有关经验;3年以上逻辑器件开发经验;1年以上项目治理经验,在此期间展示优良的治理能力及实现有关项目;
3、65/55/40/28nm经验及有SRAM bitcell设计守护优先;
4、扎实的半导体工艺、器件和IC造作知识;在半导体和逻辑器件结构、工艺技术、电学个性和量测有扎实的知识;
5、在半导体器件和工艺流程,testkey设计和布局,mask data审查和DRC审查,以及潜在问题鉴别和解决的技术占有高级能力;在工程晶片DOE、手动电性丈量及参数分析,工艺和产品失效分析中占有高级分析技术;
6、熟悉FMEA(失效模式及成效分析)、DOE、SPC和TDP(技术开发法式);熟悉芯片失效分析、良率提升等工作中所需选取的方式步骤;
7、优良的中英文书面和口头沟通能力;优良的技术和分析能力,蕴含对半导体造作工艺的根基相识;较强的推算机利用能力(如微软Word、Excel等);优良的团队合作心灵。
联系方式:
自贸区厂区
联系方式:recruiting@gtasemi.com.cn